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|---|---|---|---|---|
SI6562CDQ-T1-GE3 | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETs 文件:247.48 Kbytes 页数:17 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
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6DFN | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 | ||
QFN | SILICON LABS/芯科 上传:深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 |
详细参数
- 型号:
SI6562CDQ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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标准 |
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更新时间2025-12-24 9:05:00
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