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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SI6913DQ-T1-GE3 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：896.88 Kbytes 页数：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
DFN | SILICON 上传：深圳市上美通科技有限公司 | SILICON | ||
DFN | SILICON 上传：深圳市上美通科技有限公司 | SILICON | ||
QFN | SILICONLA 上传：深圳市展芯盛电子有限公司 | SILICONLA | ||
6-DFN | SILICONLABS |
详细参数
- 型号：
SI6913DQ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 12V 5.8A 1.14W 21mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
23+ |
0805L |
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VISHAY |
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更新时间2026-10-4 9:18:00
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