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SI7101DN-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:593.56 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI-7115B

SI7141DP-T1-GE3

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VISHAY/威世

SI7148DP-T1-E3

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VISHAY/威世

Si7155DP-T1-GE3

PAKSO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI7101DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    - 30 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    - 35 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.0072 Ohms

  • 配置:

    Dual Dual Drain

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerPak-1212-8

  • 封装:

    Reel

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更多SI7101DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-6 14:14:00