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SI7101DN-T1-GE3中文资料PDF规格书

SI7101DN-T1-GE3
厂商型号

SI7101DN-T1-GE3

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件大小

593.56 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 11:04:00

产品属性

  • 型号:

    SI7101DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性:

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    - 30 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    - 35 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.0072 Ohms

  • 配置:

    Dual Dual Drain

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerPak-1212-8

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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