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SI4888DY

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

文件:231.95 Kbytes 页数:3 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Si4888DY

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

Vishay

威世

TLV4888

TLVx888 Low-Noise, Zero-Drift, Wide-Bandwidth, MUX-Friendly Operational Amplifiers

1 Features • High dc precision: – Zero drift: 0.01μV/°C – Low offset voltage: 3μV – High PSRR: 150dB – High CMRR: 150dB • Excellent ac performance: – Gain bandwidth: 14MHz – Slew rate: 40V/μs – Low noise: 7.5nV/√Hz • Input to the negative rail, rail-to-rail output • Low quiescent curren

文件:2.60882 Mbytes 页数:39 Pages

TI

德州仪器

TLV4888

TLVx888 Low-Noise, Zero-Drift, Wide-Bandwidth, Mux-Friendly, Operational Amplifiers

1 Features • High dc precision: – Zero drift: 0.01μV/°C – Low offset voltage: 3μV – High PSRR: 150dB – High CMRR: 150dB • Excellent ac performance: – Gain bandwidth: 14MHz – Slew rate: 40V/μs – Low noise: 7.5nV/√Hz • Input to the negative rail, rail-to-rail output • Low quiescent curren

文件:2.39737 Mbytes 页数:32 Pages

TI

德州仪器

WSP4888

Dual N-Channel MOSFET

文件:735.08 Kbytes 页数:5 Pages

WIINSOK

微硕半导体

详细参数

  • 型号:

    SI4888DY

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 16A 3.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4888DY供应商 更新时间2025-12-24 10:21:00