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SI4890DY

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs • High-Efficiency PWM Optimized • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:511.02 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4890DY

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

文件:54.63 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4890DY_V01

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs • High-Efficiency PWM Optimized • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:511.02 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4890DY-T1-E3

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.00705 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Si4890DY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SI4890DY

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 11A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI4890DY供应商 更新时间2026-1-22 15:30:00