| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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威世SOP8 |
3800 |
21+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP/8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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SILSOIC-8 |
6000 |
01+ |
绝对原装自己现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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SISOP-8 |
12735 |
23+ |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
30800 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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SILSOIC-8 |
2 |
01+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
4326 |
新批次 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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SILSOIC-8 |
3000 |
22+ |
原装现货库存.价格优势 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SILICONIXSOP |
3000 |
自己现货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
15000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAYSOP8 |
1584 |
05+ |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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SILICONIXSOP |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
SI4890DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4890DY图片
SI4890DY-T1-E3价格
SI4890DY-T1-E3价格：￥8.1332品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4890DY-T1-E3多少钱，想知道SI4890DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥8.1332。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4890DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4890DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4890DY-T1-E3报价。
SI4890DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4890DY功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4890DY-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4890DY-T1功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4890DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4890DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
