SI4866BD中文资料N-Channel 12-V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号:
SI4866BD
- 功能描述:
MOSFET 12V 21.5A 4.45W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
58250 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
10+ |
SO-8 |
835 |
询价 | |||
VISHAY |
25+23+ |
SOIC-8 |
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Vishay |
20+ |
na |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOP8 |
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VISHAY |
17+ |
SOIC-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
SOIC-8 |
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