选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
10000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
2500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
9715 |
04+ |
原装现货只有原装 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP-8 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
40 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
15029 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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SISOP8 |
6868 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2922 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世NA |
880000 |
04+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOP-8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISSOP-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
15029 |
23+ |
SI4858DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4858DY图片
SI4858DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4858DY功能描述:MOSFET 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4858DY-E3功能描述:MOSFET 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4858DY-T1功能描述:MOSFET 30V 20A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4858DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4858DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube