| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SMD-8 |
15000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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VISHAY/威世SOP8 |
50 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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SISOP-8 |
28078 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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SISOP-8 |
18562 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSO-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
46080 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP8 |
45000 |
1709+ |
普通 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix8-SOIC |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
6077 |
2021+ |
百分百原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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VISHAYSOP8 |
3300 |
08+ |
全新原装现货绝对自己公司特价库 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
125000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
SI4862DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4862DY图片
SI4862DY-T1-E3MOS(场效应管)中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4862DY功能描述:MOSFET 16V 25A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4862DY_07制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 16-V(D-S) MOSFET
SI4862DY-E3功能描述:MOSFET 16V 25A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4862DY-T1功能描述:MOSFET 16V 25A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4862DY-T1-E3功能描述:MOSFET 16 Volt 25 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4862DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 16V 25A 3.5W 3.3mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
