选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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VBsemi(微碧)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOP-8 |
6900 |
2138+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAYSOP8 |
4111 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
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美浦森TO-220F |
2900 |
EU1X6 |
原装正品现货库存13717145215 苏小姐 QQ:2850151853 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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VBSEMI/台湾微碧SOP8 |
6320 |
新批号 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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61077 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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VISHHYSOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SILONIX/硅尼克斯NA/ |
346 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SILICONIXSOP-8 |
8880 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SILICONIX/硅尼克斯SOP8 |
346 |
23+ |
SI4840DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4840DY图片
SI4840DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4840DY功能描述:MOSFET 40V 14A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4840DY-E3功能描述:MOSFET 40V 14A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4840DY-T1功能描述:MOSFET 40V 14A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4840DY-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 14A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4840DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 14A 3.1W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube