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SI4214DDY-T1-E3	文件：1.05119 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
SI4214DDY-T1-E3	文件：188.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFETPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
SI4214DDY-T1-E3	文件：1.60256 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=30V,ID=9A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司
Si4214DDY-T1-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET • TrenchFET® power MOSFET\n• 100 % UIS and Rg tested\n\n\n\n;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
SI4214DDY-T1-E3	文件：189.04 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
SI4214DDY-T1-E3_V01	文件：188.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFETPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体

技术参数

Package：
SO-8
Ch：
N
VDS (V)：
30
VGS (V)：
20
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.023
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0195
Qg @4.5V (nC)：
7.1
Qgs (nC)：
1.9
Qgd (nC)：
2.7
PD Max. (W)：
3.1
VGS(th) Min. (V)：
1.2
Rg Typ. (Ω)：
2.6

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