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Si4214DDY-T1-E3中文资料Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
Si4214DDY-T1-E3规格书详情
特性 Features
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % UIS and Rg tested
技术参数
- 制造商编号
:SI4214DDY-T1-E3
- 生产厂家
:Vishay
- Package
:SO-8
- Ch
:N
- VDS (V)
:30
- VGS (V)
:20
- RDS(on)@4.5V (Ω)
:0.023
- RDS(on)@10V (Ω)
:0.0195
- Qg @4.5V (nC)
:7.1
- Qgs (nC)
:1.9
- Qgd (nC)
:2.7
- PD Max. (W)
:3.1
- VGS(th) Min. (V)
:1.2
- Rg Typ. (Ω)
:2.6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
502423 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
SOP-8 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
SOP-8 |
9555 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOP8 |
27950 |
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Vishay(威世) |
23+ |
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11800 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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VISHAY |
20+ |
SOP8 |
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诚信交易大量库存现货 |
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VBsemi |
25+ |
SOP8 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
8-SO |
38550 |
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VISHAY(威世) |
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