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SI4214DDY-T1-E3规格书详情
FEATURES
• TrenchFETPower MOSFET
• 100 Rg Tested
• 100 UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Notebook System Power
• Low Current DC/DC
产品属性
- 型号:
SI4214DDY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
TrenchFET®
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
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SOP8 |
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8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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