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SI4178DY-T1-E3 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC 文件：191.38 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI4178DY-T1-E3 | N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00669 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
Si4178DY-T1-E3 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | Vishay 威世 | Vishay | |
SO-8 | VISHAY | |||
16-TSSOP | SI | SI |
详细参数
- 型号：
SI4178DY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 12A SO8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
TrenchFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
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询价 | ||
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普通 |
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SOP-8 |
50000 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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