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SI4178DY-T1-E3中文资料PDF规格书
SI4178DY-T1-E3规格书详情
FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 Rg and UIS Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Notebook System Power
• Low Current DC/DC
产品属性
- 型号:
SI4178DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V 12A SO8
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
TrenchFET®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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