N-Channel Enhancement Mode

Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 31m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 48m (VGS = 2.5V)

文件：1.30392 Mbytes 页数：5 Pages

UMW

友台半导体

丝印：A28；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Features VDS (V) = 100V ID = 1.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件：1.72217 Mbytes 页数：5 Pages

EVVOSEMI

翊欧

MOS（场效应管）

UMW

友台半导体

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：80.06 Kbytes 页数：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：41.78 Kbytes 页数：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel Enhancement MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 100V ● ID = 1.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

文件：1.65553 Mbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子