| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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XBLW/芯伯乐SOT-23-3L |
45602 |
26+ |
一一一XBLW品牌一一一级代理,兼容替代,可提供技术支持,免费样品测试 |
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7年
留言
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XBLW芯伯乐SOT-23-3L |
50000 |
24+ |
品牌代理,价格优势,技术支持!!可直接对标进口品牌! |
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14年
留言
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VISHAYSOT23 |
600 |
26+ |
进口原装现货 |
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2年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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3年
留言
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VISHAYSOT-23 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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9年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
3000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
20000 |
26+ |
原装,可BOM配单 |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
8109 |
26+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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5年
留言
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VISHAYSOT-23 |
352000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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8年
留言
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VISHAY/威世QR |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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15年
留言
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VISHAYSOT-23 |
3000 |
25+ |
公司原装现货常备物料! |
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18年
留言
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VISHAYSOT23 |
10 |
2010 |
原装 |
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12年
留言
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VISHAYSOT-23 |
16500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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18年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
1345 |
23+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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3年
留言
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NS/国半DIP14 |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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13年
留言
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VISHAYSOT23 |
3519 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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2年
留言
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VISHAY |
33000 |
19+ |
SOT-23-3 (TO-236) |
SI2333采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI2333图片
SI2333CDS-T1-E3价格
SI2333CDS-T1-E3价格:¥0.6212品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI2333CDS-T1-E3多少钱,想知道SI2333CDS-T1-E3价格是多少?参考价:¥0.6212。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI2333CDS-T1-E3批发价格及采购报价,SI2333CDS-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI2333CDS-T1-E3报价。
SI2333CDS-T1-GE3资讯
SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY
SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2333CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V(D-S) MOSFET
Si2333CDS-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si2333CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2333DDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V(D-S) MOSFET
SI2333DDS-T1-GE3功能描述:MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2333DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V(D-S) MOSFET
SI2333DS-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin TO-236 T/R
SI2333DS-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2333DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






























