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SGS5N60RUF	文件：555.4 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS5N60RUFD	文件：614.83 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW5N60RUF	文件：556.04 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGW5N60RUFD	文件：615.22 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIF5N60E	文件：619.5 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SLD5N60C	文件：324.7 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLF5N60C	文件：305.09 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLP5N60C	文件：305.09 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SLU5N60C	文件：324.7 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
SSF5N60D	文件：489.41 Kbytes Page：8 Pages	MainProductCharacteristics	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON

详细参数

型号：
SGR5N60RUFTM
功能描述：
IGBT 晶体管
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多SGR5N60RUFTM供应商更新时间2025-5-21 14:50:00

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