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SGSD200	文件：894.64 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES ■ MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION APPLICATIONS: ■ AUDIO POWER AMPLIFIER ■ DC-AC CONVERTER ■ EASY DRIVER FOR LOW VOLTAGE DC MOTOR ■ GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATIONS DESCRIPTION The SGSD100 is Sili 文件：894.64 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SGSD200	文件：76.65 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The SGSD100 is an epitaxial-base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-247 plastic package. It is inteded for use in general purpose and high current amplifier applications. The complementary PNP type is the SGSD200. Features ■ Complementary NPN - 文件：76.65 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SGSD200	文件：687 Kbytes Page：10 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：687 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SGSD200	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247	ST 意法半导体	ST
SGSD200	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
SGSD200
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
功率放大（L）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
130W
放大倍数：
β=600-15000
图片代号：
B-70
vtest：
80
htest：
999900
atest：
25
wtest：
130

产品属性

产品编号：
SGSD200
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 80mA，20A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 10A，3V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRANS PNP DARL 80V 25A TO247-3

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