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SGSD100

STMicroelectronicsN/A

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STMicroelectronicsN/A

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ST/意法TO-3P

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STTO-3P

60000

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SGSD100

STTO-3P

66880

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STTO-3P

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SGSD100

STTO-247-3

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STTO-3P

20000

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SGSD100

STTO-3P

20000

25+

原装，请咨询

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SGSD100

STTO-247

6000

22+

十年配单,只做原装

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ST/意法TO-3P

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STTO-3P

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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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SGSD100

ST/意法N

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深圳和润天下电子科技有限公司

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SGSD100

ST/意法TO-247

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SGSD100SGSD200

STNA

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ST原厂原封

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SGSD100功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

SGSD100_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SGSD100_08制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors

产品属性

  • 产品编号：

    SGSD100

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    3.5V @ 80mA，20A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    500 @ 10A，3V

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-247-3

  • 供应商器件封装：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 80V 25A TO247-3

晶体管资料

  • 型号：

    SGSD100

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性质：

    功率放大 （L）_开关管 （S）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    80V

  • 最大电流允许值：

    25A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    130W

  • 放大倍数：

    β=600-1500

  • 图片代号：

    B-70

  • vtest：

    80

  • htest：

    999900

  • atest：

    25

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