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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市国宇半导体科技有限公司

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深圳市跃创芯科技有限公司

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深圳市惊羽科技有限公司

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ON-安森美TO-220-3

78800

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FAIRCHILDTO-TO-220F

12300

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市正迈科技有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市正迈科技有限公司

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onsemiTO-220-3 整包

9350

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SGS5N60RUFDTU功能描述:IGBT 晶体管 600V/5A/w/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    SGS5N60RUFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    88µJ(开),107µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    13ns/34ns

  • 测试条件:

    300V,5A,40 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 600V 8A 35W TO220F