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SGP23N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
SGP23N60UFD规格书详情
描述 Description
安森美半导体的 UD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。UFD 系列适用于电机控制和通用逆变器等高速开关为必需特性的应用。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)=2.1 V @ I C=12 A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD: rr=42 ns(典型值)
应用 Application
• 其他工业
简介
SGP23N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGP23N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
SGP23N60UFDTU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,12A
- 开关能量:
115µJ(开),135µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
17ns/60ns
- 测试条件:
300V,12A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 23A 100W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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