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SGP23N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

SGP23N60UFD

参数属性

SGP23N60UFD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 23A 100W TO220

功能描述

600V,PT IGBT
IGBT 600V 23A 100W TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:31:00

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SGP23N60UFD规格书详情

描述 Description

安森美半导体的 UD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。UFD 系列适用于电机控制和通用逆变器等高速开关为必需特性的应用。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)=2.1 V @ I C=12 A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD: rr=42 ns(典型值)

应用 Application

• 其他工业

简介

SGP23N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGP23N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    SGP23N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    115µJ(开),135µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/60ns

  • 测试条件:

    300V,12A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 23A 100W TO220

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