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SGP10N60RUFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
SGP10N60RUFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 RUFD 绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT) 系列提供低导通和开关损耗，以及短路耐用性。RUFD 系列专为电机控制、UPS 和一般逆变器等短路耐用性是必需功能的应用而设计。
特性 Features
•10A, 600V, TC = 100°C
•低饱和电压：VCE(sat) = 2.1V @ IC = 10A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ = 125°C时为0.242ns
•高速开关
•高输入阻抗
•短路额定值
应用 Application
• 运动控制-家用设备
简介
SGP10N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGP10N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：SGP10N60RUFD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：10
- VCE(sat) Typ (V)
：2.2
- VF Typ (V)
：1.4
- Eoff Typ (mJ)
：0.215
- Eon Typ (mJ)
：0.141
- Trr Typ (ns)
：60
- Irr Typ (A)
：3.5
- Gate Charge Typ (nC)
：30
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：75
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-220 |
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