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SGP20N60数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

SGP20N60

参数属性

SGP20N60 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 179W TO220-3

功能描述

Short Circuit Rated IGBT

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    SGP20N60XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    440µJ(开),330µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    36ns/225ns

  • 测试条件:

    400V,20A,16 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 179W TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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