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DMT10N60-TU	文件：2.24614 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMT10N60-TU	文件：2.2536 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
E10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
E10N60	文件：963.95 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
E10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
E10N60	文件：964.56 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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F10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
F10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
F10N60	文件：963.95 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
FDP10N60NZ	文件：494.97 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,10A,750m? Description UniFET™IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravala	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP10N60NZ	文件：332.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP10N60ZU	文件：559.72 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET600V,9A,0.8廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF10N60NZ	文件：439.87 Kbytes Page：10 Pages	TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild?셲proprietary,planarstripe,DMOStechnology. Description UniFET™IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravala	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF10N60NZ	文件：494.97 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,10A,750m? Description UniFET™IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravala	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF10N60NZ	文件：1.10788 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDPF10N60ZUT	文件：324 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDPF10N60ZUT	文件：559.72 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET600V,9A,0.8廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP10N60UNDF	文件：819.57 Kbytes Page：9 Pages	600V,10AShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription UsingadvancedNPTIGBTtechnology,Fairchild’stheNPTIGBTsoffertheoptimumperformanceforlow-powerinverterdrivenapplicationswherelow-lossesandshort-circuitruggednessfeaturesareessential,suchassewingmachine,CNC,motorcontrolandhomeappliances. Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF10N60UNDF	文件：826.35 Kbytes Page：9 Pages	600V,10AShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
SGP10N60RUFD
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Short Circuit Rated IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星佑电子有限公司	SGP10N60RUFD	仙童	06+	TO-220	5000	原装库存	询价
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更多SGP10N60RUFD供应商更新时间2024-5-29 15:30:00

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