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SGW15N120	文件：460.59 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 40 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable beha 文件：460.59 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGW15N120	文件：407.98 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 40 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable beha 文件：407.98 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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SGW15N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation	Infineon 英飞凌	Infineon
SGW15N120FKSA1	文件：407.98 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 40 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable beha 文件：407.98 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGW15N120FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 198W TO247-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
SGW15N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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