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SGP02N60XKSA1

包装:管件 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 6A 30W TO220-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

02N60H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

02N60H-H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

02N60H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

02N60H-H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

02N60P

NCHANNELENHANCEMENTMODE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

AP02N60H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AP02N60H

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60H-H

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AP02N60H-H

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AP02N60H-H-HF

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AP02N60I

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60I-A-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60I-HF

FastSwitchingCharacteristic

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60J

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60J-H

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60P

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60P-A-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

AP02N60P-HF

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    SGP02N60XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,2A

  • 开关能量:

    64µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/259ns

  • 测试条件:

    400V,2A,118 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 30W TO220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
1503+
TO220-3
3000
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Infineon
22+
NA
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Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
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Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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Infineon Technologies
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PG-TO220-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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TO-220-3
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Infineon Technologies
23+
TO2203
8000
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO220-3
17885
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更多SGP02N60XK供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00