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SGL40N150TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1500V 40A 200W TO264	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGL40N150	文件：440.52 Kbytes Page：7 Pages	Electrical Characteristics of the IGBT General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. The FGL40N150D is designed for induction heating applications. Features • High speed switching • Low saturation voltage : VCE(sat)= 3.5 V @ IC = 40A • High i 文件：440.52 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGL40N150D	文件：440.52 Kbytes Page：7 Pages	Electrical Characteristics of the IGBT General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. The FGL40N150D is designed for induction heating applications. Features • High speed switching • Low saturation voltage : VCE(sat)= 3.5 V @ IC = 40A • High i 文件：440.52 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IXHH40N150HV	文件：181.79 Kbytes Page：4 Pages	1500V MOS Gated Thyristor 文件：181.79 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多SGL40N150TU供应商更新时间2026-1-29 23:00:00