WinMOS® W3 系列MOSFET

希格玛WinMOS® W3 系列MOSFET，为希格玛第二代超结高压MOSFET，采用希格玛最新的第二代超结工艺技术平台设计而成，此工艺技术基于之前的Multi-epi基础，采用深挖沟填充制程。通过利用这种先进的工艺技术和严格精准的制程控制，在保有原所有优点的同时，获得更低的Rdson、更低的Qg、更低的输入输出电容及寄生参数，可以将MOSFET的导通损耗和切换损耗降至更低，达到了世界级先进水平，使应用产品获得更高的效率、更小的体积、更轻的重量、更好的温度特性，从而提高应用产品的竞争力。 a)低导通电阻Rdson，降低开关损耗；\r\nb)低栅极电荷Qg，降低切换损耗；\r\nc)低有效输出电容，降低切换损耗；\r\nd)产品100% 制程测试；\r\ne)大于1000小时可靠性测试；\r\nf)100% 无卤工艺制程；;

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