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SGF360N65W3中文资料WinMOS® W3 系列MOSFET数据手册SiGma规格书
SGF360N65W3规格书详情
描述 Description
希格玛WinMOS® W3 系列MOSFET,为希格玛第二代超结高压MOSFET,采用希格玛最新的第二代超结工艺技术平台设计而成,此工艺技术基于之前的Multi-epi基础,采用深挖沟填充制程。通过利用这种先进的工艺技术和严格精准的制程控制,在保有原所有优点的同时,获得更低的Rdson、更低的Qg、更低的输入输出电容及寄生参数,可以将MOSFET的导通损耗和切换损耗降至更低,达到了世界级先进水平,使应用产品获得更高的效率、更小的体积、更轻的重量、更好的温度特性,从而提高应用产品的竞争力。
特性 Features
a)低导通电阻Rdson,降低开关损耗;
b)低栅极电荷Qg,降低切换损耗;
c)低有效输出电容,降低切换损耗;
d)产品100% 制程测试;
e)大于1000小时可靠性测试;
f)100% 无卤工艺制程;
应用 Application
·功率因素校正
·开关式电源供应器
·不间断电源供应器
·PC电源供应器
·服务器电源供应器
·通讯设备电源供应器
·LED照明
·太阳能变频器
·平板电视、显示器
·适配器
技术参数
- 制造商编号
:SGF360N65W3
- 生产厂家
:SiGma
- Product Status
:In Production
- ID
:11A
- VDSS(min)
:650V
- RDS(on)max
:360mΩ
- Green
:Yes
- Halogen-free
:Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JST |
连接器 |
123500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
SIGMA |
2450+ |
TO-220F |
6885 |
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询价 | ||
FAIRC |
24+ |
TO-3PF |
16800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
04+ |
TO-247F |
921 |
询价 | |||
FAIRCHILD仙童 |
23+ |
TO-3PF |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SIGMA |
1445+ |
TO-220F |
2445 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-3P |
28235 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-247F |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
FSC |
23+24 |
TO-3P |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
JST/日压 |
2508+ |
/ |
220083 |
一级代理,原装现货 |
询价 |


