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SGF360N65W3中文资料WinMOS® W3 系列MOSFET数据手册SiGma规格书

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厂商型号

SGF360N65W3

功能描述

WinMOS® W3 系列MOSFET

制造商

SiGma Xiamen SigmaStar Technology Co., Ltd.

中文名称

星宸科技 星宸科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 17:36:00

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SGF360N65W3规格书详情

描述 Description

希格玛WinMOS® W3 系列MOSFET,为希格玛第二代超结高压MOSFET,采用希格玛最新的第二代超结工艺技术平台设计而成,此工艺技术基于之前的Multi-epi基础,采用深挖沟填充制程。通过利用这种先进的工艺技术和严格精准的制程控制,在保有原所有优点的同时,获得更低的Rdson、更低的Qg、更低的输入输出电容及寄生参数,可以将MOSFET的导通损耗和切换损耗降至更低,达到了世界级先进水平,使应用产品获得更高的效率、更小的体积、更轻的重量、更好的温度特性,从而提高应用产品的竞争力。

特性 Features

a)低导通电阻Rdson,降低开关损耗;
b)低栅极电荷Qg,降低切换损耗;
c)低有效输出电容,降低切换损耗;
d)产品100% 制程测试;
e)大于1000小时可靠性测试;
f)100% 无卤工艺制程;

应用 Application

·功率因素校正
·开关式电源供应器
·不间断电源供应器
·PC电源供应器
·服务器电源供应器
·通讯设备电源供应器
·LED照明
·太阳能变频器
·平板电视、显示器
·适配器

技术参数

  • 制造商编号

    :SGF360N65W3

  • 生产厂家

    :SiGma

  • Product Status

    :In Production

  • ID

    :11A

  • VDSS(min)

    :650V

  • RDS(on)max

    :360mΩ

  • Green

    :Yes

  • Halogen-free

    :Yes

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