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SGB10N60	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB10N60	文件：506.86 Kbytes Page：12 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology 文件：506.86 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB10N60A	文件：401.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution 文件：401.72 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB10N60A	文件：795.39 Kbytes Page：11 Pages	丝印：G10N60A；Package：PG-TO-263-3-2；Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high rugg 文件：795.39 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB10N60A_07	文件：795.39 Kbytes Page：11 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high rugg 文件：795.39 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB10N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation	Infineon 英飞凌	Infineon
SGB10N60AATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 92W TO263-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
SGB10N60
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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