N-Channel MOSFET

SFY2N7002ATK 采用稳先微电子先进的高密度沟槽技术制造，低导通电阻，高雪崩击穿耐量，可广泛应用于电工工具，锂电保护，PD快充和直流无刷电机等应用。 • 60V, 450mA\n• RDS(ON) = 2.8Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 450mA\n• ESD Rating HBM 2.3KV\n• 高电流处理能力\n• 绿色环保;

Winsemi

稳先微电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：508.96 Kbytes 页数：8 Pages

SYNC-POWER

擎力科技

N-channel Enhanced mode SOT-23 MOSFET

文件：621.55 Kbytes 页数：5 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

High Speed Switching Applications

○ High Speed Switching Applications • ESD protected gate • Low ON-resistance RDS(on) = 2.8 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(on) = 3.1 Ω (typ.) (@VGS = 5 V) RDS(on) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

文件：598.83 Kbytes 页数：7 Pages

TOSHIBA

东芝