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SFT1440	文件：416.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 600V, 1.5A, 8.1Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) • Protection diode in 文件：416.9 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1440	文件：357.07 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) 文件：357.07 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1440-E	文件：416.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 600V, 1.5A, 8.1Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) • Protection diode in 文件：416.9 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1440-TL-E	文件：416.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 600V, 1.5A, 8.1Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) • Protection diode in 文件：416.9 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1443	文件：418.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 100V, 9A, 225m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=180mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=490pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：418.66 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1443	文件：81.97 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=180mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=490pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：81.97 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1445	文件：420.09 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 111m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：420.09 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1445	文件：1.43583 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.43583 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
SFT1445	文件：82.75 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：82.75 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
SFT1445-H	文件：420.09 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 111m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：420.09 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SFT144
功能描述：
MOSFET WIDEBAND AMPLIFIER
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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