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SILICONTRANSISTOR MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)SUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Bu | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2ELEMENTSSUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5179) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
POWERZENERS3WATT | DIGITRON Digitron Semiconductors | DIGITRON | ||
REMARKS:N.C=NOCONNECTION | VARITRONIXVaritronix international limited 京东方精电京东方精电有限公司(香港) | VARITRONIX | ||
SOT323PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT323PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR PARTMARKINGDETAILSZUMT807-25-T8 ZUMT807-40-T24 COMPLEMENTARYTYPESZUMT807-25-ZUMT817-25 ZUMT807-40-ZUMT817-40 | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES |
产品属性
- 产品编号:
SFAS807GHMNG
- 制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
8A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
60pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AB(D²PAK)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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