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BR808	文件：95.83 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-200amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR808	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
BR808	文件：403.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR808G	文件：350.52 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR808G	文件：144.01 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR808G	文件：98.67 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000VoltsFORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR808G	文件：93.04 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BR808G	文件：33.27 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BS808B	文件：167.58 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey TheBS801B/02B/04B/06B/08Barearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Operatingvoltage:2.2V~5.5V Ultra	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
BS808C	文件：181.22 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey GeneralDescription TheBS801C/02C/04C/06C/08Carearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Features Op	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
BU808	文件：103.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=700V(Min) ·HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ·Designedforuseinthree-phaseACmotorcontrolsystems	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU808	文件：641.98 Kbytes Page：1 Pages	8AMPSILICONBRIDGERECTIFIER FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Surgeoverloadrating300Amperespeak ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ●PlasticmaterialhasUL ●ULrecognized:File#E106441 ●ULrecognized94V-Oplasticmaterial	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
BU808	文件：67.46 Kbytes Page：2 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS ●LowReverseLeakageCurrent ●SurgeOverloadRatingto200APeak ●IdealforPrintedCircuitBoardApplications ●ULListedUnderRecognizedComponent Index,FileNumberE94661 ●LeadFreeFinish,	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BU808	文件：42.76 Kbytes Page：3 Pages	8.0ABRIDGERECTIFIER Features •DiffusedJunction •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability •IdealforPrintedCircuitBoards •ULRecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
BU808	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE8.0AMPS.GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS FEATURES Idealforprintedcircuitboard Reliablelowcostconstruction PlasticmaterialhasUnderwritersLaboratoryflammabilityclassifications94V.O Surgeoverloadrating200amperespeak.	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
BU808	文件：72 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERDARLINGTON	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BU808	文件：72.24 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERDARLINGTON DESCRIPTION TheBU808DFIisaNPNtransistorinmonolithicDarlingtonconfiguration.ItismanufacturedusingMultiepitaxialMesatechnologyforcost-effectivehighperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■NPNMONOLITHICDARLINGTONWITHINTEGRATEDFREE-WHEELINGDIODE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU808DFH	文件：222.34 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION TheBU808DFHisaNPNtransistorinmonolithicDarlingtonconfiguration.ItismanufacturedusingMultiepitaxialMesatechnologyforcost-effectivehighperformance. ■NEWFullyPlasticTO-220forHIGHVOLTAGEAPPLICATIONS ■NPNMONOLITHICDARLINGTONWITHINTEGRATEDFREE-WHEELINGD	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU808DFI	文件：72.24 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERDARLINGTON DESCRIPTION TheBU808DFIisaNPNtransistorinmonolithicDarlingtonconfiguration.ItismanufacturedusingMultiepitaxialMesatechnologyforcost-effectivehighperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■NPNMONOLITHICDARLINGTONWITHINTEGRATEDFREE-WHEELINGDIODE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU808DFI-LF	文件：1.1892 Mbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERDARLINGTON	SUNSPIRITSunspirit Electronic Ltd 顺思电子佛山市顺德区顺思电子有限公司	SUNSPIRIT

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产品属性

产品编号：
SFA808G
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
60pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220AC
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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