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BU808分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BU808

参数属性

BU808 封装/外壳为ISOWATT-218-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

功能描述

8.0A BRIDGE RECTIFIER

封装外壳

ISOWATT-218-3

文件大小

42.76 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

WTE Won-Top Electronics

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 13:01:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BU808

  • 别名:

    BU808三极管、BU808晶体管、BU808晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    3PH_MOTOT_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1500V

  • 最大电流允许值:

    12A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BUX88,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    160

BU808规格书详情

特性 Features

• Diffused Junction

• Low Forward Voltage Drop

• High Current Capability

• High Reliability

• High Surge Current Capability

• Ideal for Printed Circuit Boards

• UL Recognized File # E157705

产品属性

  • 产品编号:

    BU808DFI

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    400µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    ISOWATT-218-3

  • 供应商器件封装:

    ISOWATT-218

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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