BU808分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BU808 |
| 参数属性 | BU808 封装/外壳为ISOWATT-218-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 |
| 功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON |
| 封装外壳 | ISOWATT-218-3 |
| 文件大小 |
72.24 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 11:10:00 |
| 人工找货 | BU808价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BU808三极管、BU808晶体管、BU808晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
3PH_MOTOT_输出极 (E)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
1500V
- 最大电流允许值:
12A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BUX88,
- 最大耗散功率:
160W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
1500
- htest:
999900
- atest:
12
- wtest:
160
BU808规格书详情
BU808属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BU808晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The BU808DFI is a NPN transistor in monolithic Darlington configuration. It is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance.
■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
■ NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITH INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V )
■ HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 )
■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
■ DEDICATED APPLICATION NOTE AN1184
APPLICATIONS
■ COST EFFECTIVE SOLUTION FOR HORIZONTAL DEFLECTION IN LOW END TV UP TO 21 INCHES.
产品属性
更多- 产品编号:
BU808DFI
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.6V @ 500mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
400µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
ISOWATT-218-3
- 供应商器件封装:
ISOWATT-218
- 描述:
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICSSEMI |
23+ |
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ST |
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ST |
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TO-3P |
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ST/意法 |
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TO-3PF |
50000 |
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ST |
23+ |
TO-3PF |
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