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HMC8119	文件：510.07 Kbytes Page：27 Pages	81GHzto86GHz,E-BandI/QUpconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC8119-SX	文件：510.07 Kbytes Page：27 Pages	81GHzto86GHz,E-BandI/QUpconverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
PM-8119	文件：127 Kbytes Page：4 Pages	T1/CEPTQUADPORTSMDISOLATIONTRANSFORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
S8119	文件：320.53 Kbytes Page：4 Pages	PhotoICforopticalswitch	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SE8119	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119ADJLF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119ADJLF/HF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119AKXLF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119C	文件：217.55 Kbytes Page：5 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
TA8119P	文件：402.2 Kbytes Page：10 Pages	STEREOHEADPHONEAMPLIFIER(3VUSE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8130TAandµPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalµPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC8119T	文件：40.87 Kbytes Page：3 Pages	1.9GHzAGCAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC8119T	文件：720.1 Kbytes Page：4 Pages	NECsVARIABLEGAINAMPLIFIER	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPC8119T	文件：663.95 Kbytes Page：52 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=100MHzto1.92GHz •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0.6to2.4V(recommended) •Twotypesofgaincontrol:μPC8119T;VAGCupvs.Gaindown(Forw	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UTC8119	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UZ8119	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ8119	文件：101.87 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SE8119AKXLF/HF供应商更新时间2024-6-3 16:16:00

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