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SE9302	文件：70.22 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR SE9300, 01, 02 are Silicon NPN EPitaxial Base, Monolithic Diffused Resistor Type Darlington Construction Power Transistors designed for audio amplifiers and medium power linear and switching applications. 文件：70.22 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
SE9302	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
SE9302	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3	CENTRAL	CENTRAL
STV9302	文件：327.33 Kbytes Page：15 Pages	VERTICAL DEFLECTION OUTPUT FOR MONITOR / TV 2 App / 60 V WITH FLYBACK GENERATOR The STV9302A is a vertical deflection booster designed for TV and monitor applications. This device, supplied with up to 35 V, provides up to 2 App output current to drive the vertical deflection yoke. The internal flyback generator delivers flyback voltages up to 70 V. in double-sup 文件：327.33 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TDA9302	文件：79.41 Kbytes Page：5 Pages	VERTICAL DEFLECTION OUTPUT CIRCUIT POWER AMPLIFIER FLYBACK GENERATOR THERMAL PROTECTION DESCRIPTION The TDA9302H is a monolithic integrated circuit in HEPTAWATT package. It is a high efficiency power booster for direct driving of vertical windings of TV yokes. It is intended for use in Color and B & W televisio 文件：79.41 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TDA9302H	文件：79.41 Kbytes Page：5 Pages	VERTICAL DEFLECTION OUTPUT CIRCUIT POWER AMPLIFIER FLYBACK GENERATOR THERMAL PROTECTION DESCRIPTION The TDA9302H is a monolithic integrated circuit in HEPTAWATT package. It is a high efficiency power booster for direct driving of vertical windings of TV yokes. It is intended for use in Color and B & W television as 文件：79.41 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
SE9302
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD267B,BD649,BD701,BDT63B,BDT65B,BDW93C,BDX33C,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
β>100
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
70

产品属性

产品编号：
SE9302
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 150mA，7.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
200µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 7.5A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3

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