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ASPI-1109T	文件：842.43 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE-MOUNTPOWERINDUCTORS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
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AST1109MLTRQ	文件：117 Kbytes Page：1 Pages	SalesOutlineDrawing	MSPIMallory Sonalert Products Inc 马洛里马洛里索纳特产品有限公司	MSPI
BF1109	文件：120.95 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldual-gateMOS-FETs	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BF1109	文件：145.4 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldual-gateMOS-FETs DESCRIPTION EnhancementtypeN-channelfield-effecttransistorwithsourceandsubstrateinterconnected.Integrateddiodesbetweengatesandsourceprotectagainstexcessiveinputvoltagesurges.TheBF1109,BF1109RandBF1109WRareencapsulatedintheSOT143B,SOT143RandSOT343Rplasticpackage	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF1109	文件：371.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldual-gateMOS-FETs FEATURES Shortchanneltransistorwithhigh forwardtransferadmittancetoinput capacitanceratio Lownoisegaincontrolledamplifier upto1GHz Internalself-biasingcircuitto ensuregoodcross-modulation performanceduringAGCandgood DCstabilization. APPLICATIONS VHFand	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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更多SDP1109供应商更新时间2024-6-1 10:16:00

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