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BF1109	文件：145.4 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1109, BF1109R and BF1109WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package 文件：145.4 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BF1109	文件：371.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs FEATURES  Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio  Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz  Internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization. APPLICATIONS  VHF and 文件：371.77 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1109	文件：120.95 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：120.95 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF1109	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs	恩XP	恩XP
BF1109R	文件：145.4 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1109, BF1109R and BF1109WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package 文件：145.4 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BF1109R	文件：371.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs FEATURES  Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio  Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz  Internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization. APPLICATIONS  VHF and 文件：371.77 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1109WR	文件：371.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs FEATURES  Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio  Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz  Internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization. APPLICATIONS  VHF and 文件：371.77 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BF1109WR	文件：145.4 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1109, BF1109R and BF1109WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package 文件：145.4 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
BF1109_15	文件：120.95 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：120.95 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BF1109_2015	文件：120.95 Kbytes Page：16 Pages	N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：120.95 Kbytes 页数：16 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Frequency(MHz)：
2400~2500
InsertionLoss(dB/max.)：
1.3

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更多BF1109供应商更新时间2026-1-17 15:08:00

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