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SD56120	文件：43.94 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS Description TheSD56120isacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheSD56120isdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcemode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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SD56120	文件：311.38 Kbytes Page：15 Pages	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD56120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：M246；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 860MHZ M246	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD56120C	文件：230.32 Kbytes Page：15 Pages	Excellent thermal stability Description TheSD56120CisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheSD56120Cisdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD56120M	文件：201.65 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY DESCRIPTION TheSD56120MisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheSD56120Misdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD56120M	文件：288.66 Kbytes Page：5 Pages	HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2to	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD56120_06	文件：311.38 Kbytes Page：15 Pages	RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SD56120M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：M252；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 860MHZ M252	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
SD56120
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
860MHz
增益：
16dB
额定电流（安培）：
14A
功率 - 输出：
100W
封装/外壳：
M246
供应商器件封装：
M246
描述：
FET RF 65V 860MHZ M246

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