SD56120数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
SD56120 |
| 参数属性 | SD56120 封装/外壳为M246；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 860MHZ M246 |
| 功能描述 | 120W 28V HF to 1GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package |
| 封装外壳 | M246 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 23:01:00 |
| 人工找货 | SD56120价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SD56120规格书详情
特性 Features
• Excellent thermal stability
• POUT = 100W with 14dB gain @ 860MHz
• Common source configuration Push-pull
• BeO free package
简介
SD56120属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的SD56120晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：SD56120
- 生产厂家
：ST
- Package
：M246
- Marketing Status
：NRND
- Grade
：Industrial
- Frequency_nom(MHz)
：860
- Output Power_nom(W)
：100
- Power Gain_nom(dB)
：16
- Transistor Supply Voltage_nom(V)
：28
- Efficiency_nom(%)
：60
- R_th(J-C)_max
：0.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
38 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
20+ |
高频管 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
M246 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST |
高频管 |
186 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
ST |
23+ |
高频管 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
高频管 |
650 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-62s |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
M246 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ST |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
