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SD56120分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

SD56120
厂商型号

SD56120

参数属性

SD56120 封装/外壳为M246;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 860MHZ M246

功能描述

RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
FET RF 65V 860MHZ M246

封装外壳

M246

文件大小

43.94 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 11:01:00

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SD56120规格书详情

SD56120属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的SD56120晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Description

The SD56120 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0GHz. The SD56120 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for broadcast applications from 470 to 860 MHz requiring high linearity.

General features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration Push-pull

■ POUT = 100W with 14dB gain @ 860MHz

■ BeO free package

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SD56120

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    860MHz

  • 增益:

    16dB

  • 额定电流(安培):

    14A

  • 功率 - 输出:

    100W

  • 封装/外壳:

    M246

  • 供应商器件封装:

    M246

  • 描述:

    FET RF 65V 860MHZ M246

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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