SD56120分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
SD56120 |
参数属性 | SD56120 封装/外壳为M246;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 65V 860MHZ M246 |
功能描述 | RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS |
封装外壳 | M246 |
文件大小 |
43.94 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 11:01:00 |
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SD56120规格书详情
SD56120属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由意法半导体集团制造生产的SD56120晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
Description
The SD56120 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0GHz. The SD56120 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for broadcast applications from 470 to 860 MHz requiring high linearity.
General features
■ Excellent thermal stability
■ Common source configuration Push-pull
■ POUT = 100W with 14dB gain @ 860MHz
■ BeO free package
产品属性
更多- 产品编号:
SD56120
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
860MHz
- 增益:
16dB
- 额定电流(安培):
14A
- 功率 - 输出:
100W
- 封装/外壳:
M246
- 供应商器件封装:
M246
- 描述:
FET RF 65V 860MHZ M246
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
M246 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
M246 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
M246 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
高频管 |
650 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
STM原厂目录 |
24+ |
M246 |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
询价 | ||
ST |
21+ |
高频管 |
23480 |
询价 | |||
ST |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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ST |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
询价 | |||
ST |
22+ |
M246 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |