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SCT3160KWAHR中文资料1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive数据手册ROHM规格书
SCT3160KWAHR规格书详情
描述 Description
AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3160KWAHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
特性 Features
• Qualified to AEC-Q101
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
技术参数
- 制造商编号
：SCT3160KWAHR
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-263-7LA
- 包装数量
：1000
- 最小独立包装数量
：1000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：160
- Generation
：3rd Gen (Trench)
- Drain Current[A]
：17
- Total Power Dissipation[W]
：100
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：10.2x15.4 (t=4.7)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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