SCT30N120中文资料碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装数据手册ST规格书
SCT30N120规格书详情
描述 Description
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
特性 Features
• 导通电阻随温度变化敏感温度
• 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
• 稳定的超快速本体二极管
• 低电容
技术参数
- 制造商编号
：SCT30N120
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：1200
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.1
- PTOT_max(W)
：270
- Qg_typ(nC)
：105
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO247 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
HiP-247-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
HIP247-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
门市 |
2018 |
200 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-247-3 |
14433 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
HIP-247 |
3968 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO247 |
1098 |
询价 |
