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SCT3080KRHR中文资料1200V, 31A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive数据手册ROHM规格书
SCT3080KRHR规格书详情
描述 Description
AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3080KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
特性 Features
• Qualified to AEC-Q101
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
技术参数
- 制造商编号
：SCT3080KRHR
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247-4L
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：80
- Generation
：3rd Gen (Trench)
- Drain Current[A]
：31
- Total Power Dissipation[W]
：165
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x23.45 (t=5.2)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO263-7 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
20+ |
TO-263-7 |
1000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
HIP-247 |
3968 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO247 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 |
