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SCT3080KRHR规格书详情
描述 Description
AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3080KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
特性 Features
• Qualified to AEC-Q101
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
技术参数
- 制造商编号
：SCT3080KRHR
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247-4L
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：80
- Generation
：3rd Gen (Trench)
- Drain Current[A]
：31
- Total Power Dissipation[W]
：165
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x23.45 (t=5.2)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
1800 |
全新、原装 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
HiP-247-3 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2223+ |
TO263-7 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
80000 |
询价 | ||||||
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 |
