首页>SCT3080KLHR>规格书详情
SCT3080KLHR中文资料N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET数据手册ROHM规格书
SCT3080KLHR规格书详情
描述 Description
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
特性 Features
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Qualified to AEC-Q101
技术参数
- 制造商编号
：SCT3080KLHR
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247N
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：80
- Generation
：3rd Gen (Trench)
- Drain Current[A]
：31
- Total Power Dissipation[W]
：165
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x21 (t=5.2)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO263-7 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
20+ |
TO-247-4L |
30 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
HIP-247 |
3968 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
22+ |
1680 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO247 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Rohm(罗姆) |
25+ |
TO-247-4L |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
