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SCT3030AR中文资料650V Nch 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

SCT3030AR

功能描述

650V Nch 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 20:00:00

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SCT3030AR规格书详情

描述 Description

SCT3030AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

特性 Features

• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• High efficiency 4pin package
• Evaluation board 'P02SCT3040KR-EVK-001'

技术参数

  • 制造商编号

    :SCT3030AR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247-4L

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :650

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

    :30

  • Generation

    :3rd Gen (Trench)

  • Drain Current[A]

    :70

  • Total Power Dissipation[W]

    :262

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x23.45 (t=5.2)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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